Híd egyenirányító MB10S

Az MB10S gyártási folyamata

Az MB6S-ben használt GPP chipet üvegpasszivációs technológiával állítják elő. A hagyományos védőragasztó technológiához képest három fő jellemzője van a PN szerkezetében:

Külső igénybevétel vagy hidegsokk esetén a védőragasztási folyamat meghiúsulhat, míg a GPP folyamat nem tapasztal hasonló helyzeteket,

2. Szivárgás elleni védelem, magának a GPP eljárásnak sokkal kisebb a szivárgása, mint a védőragasztó eljárásnál

3. A HTRB, más néven magas hőmérsékletű fordított előfeszítés, csak 100 Celsius fok körüli hőmérsékleten képes ellenállni a HTRB-nek szokásos védőragasztási eljárásokkal, míg az üvegpassziválási eljárás még 150 Celsius fokon is nagyon jól működik